Журнал науки о ядерной энергетике и технологиях производства электроэнергии

La dependencia de los portadores de carga de los métodos de procesamiento térmico del tiempo de residencia en silicio, legalizado con cobre e iridio

AK Rafikov*, SH A Maxmudov, AA Sulaymonov y JZ Mirzarayimov

En este trabajo, investigamos la dependencia de la concentración de centros de niveles de energía en la vida útil de los portadores de carga en muestras de silicio dopadas con cobre e iridio, y las propiedades electrofísicas, fotoeléctricas y de recombinación de la muestra bajo la influencia de la exposición térmica y a la radiación.