Журнал электротехники и электронных технологий

Исследование двумерных электронных газов для гетероструктуры на основе GaN

Рахман М.С., Бабуя С.К., Махфуз М.А., Сиддики ФБТ и Махмуд Ж.Х.

Плотность носителей двумерного электронного газа (2DEG) исследуется для гетероструктур AlGaN/GaN, AlN/GaN и InGaN/GaN с использованием самосогласованного симулятора уравнения Шредингера-Пуассона. Моделирование также учитывает базовую физику, лежащую в основе характеристик природы плотности 2DEG. В процессе исследуется зависимость плотности 2DEG от состава сплава, толщины слоя канала и изменения напряжения затвора. Это моделирование отображает сравнение плотности носителей 2DEG среди различных гетероструктур. Максимальная плотность носителей 2DEG, полученная для AlGaN/GaN, составляет 1,76×10 ¹³ см ^-2 , для AlN/GaN - 2,16×10 ¹³ см ^-2 и для InGaN/GaN - 1,82×10 ¹³ см ^-2 без какого-либо напряжения смещения.