Журнал электротехники и электронных технологий

Микроволновая характеристика образца карбида кремния в диапазоне ISM от 25°C до 165°C

Раммаль В., Раммаль Дж., Саламе Ф., Тауби М., Фуани Дж., Альшаддуд А. и Канале Л.

В этой статье представлена ​​микроволновая характеристика в диапазоне ISM (2,45 ГГц) для диэлектрических свойств образца карбида кремния с высоким тангенсом угла потерь от 25 °C до 165 °C. Для характеристики образца SiC использовались различные методы: метод цилиндрического резонатора в режиме пропускания и отражения, микрополосковый кольцевой резонатор и, наконец, микроволновая микроскопия ближнего поля. Результаты, полученные с помощью цилиндрического резонатора (пропускание и отражение), хорошо согласуются, относительная диэлектрическая проницаемость и тангенс угла потерь SiC увеличиваются с температурой на 48% и 190% соответственно между 25 °C и 165 °C. Эти методы точны, но требуют двух термических циклов. Результаты, полученные с помощью микрополоскового кольцевого резонатора, менее точны, чем с помощью резонансного резонатора, а низкий коэффициент качества (Q0 = 2,5) не позволяет правильно определить мнимую часть диэлектрической проницаемости и, следовательно, тангенс угла потерь. Наконец, метод ближнепольной микроволновой микроскопии показывает точное измерение с низкой неопределенностью в реальной (<2%) и мнимой части (<5%) диэлектрической проницаемости. Эти результаты хорошо согласуются с методами резонансной полости, однако этот метод требует всего одного термического цикла, что позволяет экономить время во время измерений.