Журнал электротехники и электронных технологий

Альтернативная методология моделирования межсоединений, используемых в высокоскоростных КМОП-интегральных схемах

Монико Линарес-Аранда, Рейдезель Торрес-Торрес и Оскар Гонсалес-Деас

Альтернативная методология моделирования межсоединений, используемых в высокоскоростных КМОП-интегральных схемах

В данной статье предлагается альтернативная методология моделирования для межсоединений на кристалле, используемых в высокоскоростных системах на кристалле. Методология разработана на основе измерений S-параметров микрополосковых линий на кристалле, изготовленных на кремниевой подложке с использованием технологии комплементарного металл-оксид-полупроводник толщиной 0,35 мкм, с целью определения эффективных моделей схем и частотно-зависимых параметров, используемых для представления задержки и потерь, связанных с линиями межсоединений. Выведено уравнение, позволяющее аналитически определить оптимальное количество секций для распределенной эквивалентной модели RLC для точного представления линии межсоединений в определенных частотных диапазонах. Методология моделирования была применена к линиям межсоединений различной длины и до 35 ГГц, получив хорошие корреляции с имитационным экспериментом.